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        什么是鋰電保護(hù)芯片,鋰電池芯片功能作用

        2020-04-10 11:21:26 

        現(xiàn)在的中國(guó)輕便式電子元器件變得越來(lái)越受大家喜愛(ài),其電池設(shè)備也變成特別關(guān)注的聚焦點(diǎn),主要是因?yàn)?a href="http://www.baixiao.net.cn/dlldc.html" title="動(dòng)力鋰電池" target="_blank">動(dòng)力鋰電池和聚合鋰電池能量密度大、使用時(shí)間長(zhǎng)、能滿足綠色環(huán)保規(guī)定,已逐步替代鎳鎘電池和鎳氫充電電池,變成便攜式設(shè)備的優(yōu)先選擇充電電池。鋰電保護(hù)芯片是為使用在手持式機(jī)器設(shè)備(如蜂窩電話,PDA)的單節(jié)動(dòng)力鋰電池而設(shè)計(jì)構(gòu)思的。下面我們來(lái)看看什么是鋰電保護(hù)芯片,鋰電池芯片功能作用。

        鋰電池保護(hù)芯片


        什么是鋰電保護(hù)芯片


        鋰電保護(hù)芯片是單節(jié)可充鋰離子/聚合物鋰電池的過(guò)頭充電/放電/過(guò)工作電流保護(hù)芯片,它也包含一個(gè)短路容量保護(hù)裝置,防止出現(xiàn)外電路短路時(shí)的大工作電流。選用高抗壓生產(chǎn)工藝研制,抗壓不少于二十八V,在產(chǎn)品檢驗(yàn)到過(guò)放電后,芯片將中止內(nèi)部開(kāi)關(guān)電源電路運(yùn)轉(zhuǎn)以維護(hù)目前擁有在非常低的用電量程度。根據(jù)將DS端調(diào)到與VDD類似的電平,能將上述保護(hù)延長(zhǎng)時(shí)間(除過(guò)流保護(hù)電路)大幅度縮短。


        鋰電池芯片功能作用


        1、保護(hù)芯片正常情況下運(yùn)轉(zhuǎn):


        保護(hù)芯片上MOS管一開(kāi)始很有可能正處于關(guān)掉狀況,電池接好保護(hù)芯片后,務(wù)必先開(kāi)啟MOS管,P+與P-端才有輸出電壓,開(kāi)啟適用最簡(jiǎn)單的方法——用一輸電線把B-與P-接線。


        2、過(guò)工作電流產(chǎn)品檢驗(yàn)的設(shè)計(jì)構(gòu)思


        當(dāng)VM接線端子工作電壓高于過(guò)工作電流1產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓,并且這一個(gè)狀況在過(guò)工作電流1產(chǎn)品檢驗(yàn)響應(yīng)時(shí)間上述時(shí),關(guān)掉放電用的FET進(jìn)而終止放電。


        當(dāng)VM接線端子工作電壓高于過(guò)工作電流2產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓,并且這一個(gè)狀況在過(guò)工作電流2產(chǎn)品檢驗(yàn)響應(yīng)時(shí)間上述時(shí),關(guān)掉放電用的FET進(jìn)而終止放電。


        3、過(guò)電壓產(chǎn)品檢驗(yàn)的設(shè)計(jì)構(gòu)思


        當(dāng)鋰電池突然出現(xiàn)過(guò)充電時(shí),過(guò)頭充電比較器跳變,過(guò)充電產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓VCU從H變成L,經(jīng)由過(guò)充電產(chǎn)品檢驗(yàn)響應(yīng)時(shí)間后,全面禁止電池充電。與此同時(shí),開(kāi)關(guān)電源電路的導(dǎo)出TCU為H,經(jīng)由一個(gè)反饋電路使過(guò)充電比較器的輸入工作電壓升高,所以電池電壓務(wù)必降低更多才能使比較器導(dǎo)出變?yōu)镠.這就實(shí)現(xiàn)了過(guò)充電遲滯工作電壓的設(shè)計(jì)過(guò)程。


        當(dāng)電池過(guò)放電時(shí),過(guò)放電產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓VDL從H變?yōu)長(zhǎng),經(jīng)由時(shí)間TDL后,全面禁止電池放電。此時(shí),根據(jù)0V充電全面禁止模塊使VM升高,進(jìn)而五個(gè)比較器的使能端SD跳變?yōu)闊o(wú)效狀況,此時(shí)開(kāi)關(guān)電源電路中的五個(gè)比較器都不運(yùn)轉(zhuǎn),并且振蕩器也不運(yùn)轉(zhuǎn),開(kāi)關(guān)電源電路步入休眠模式。當(dāng)VM降低使SD再次發(fā)生改變時(shí),開(kāi)關(guān)電源電路解除休眠模式。休眠模式的工作電流不能高于100nA.


        4、過(guò)流保護(hù):


        在P+與P-上接好一合適的負(fù)載后,電池開(kāi)始放電其電流方向如I2,工作電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極,(這個(gè)時(shí)候MOS2被D2短路);當(dāng)負(fù)載突然之間減小,IC根據(jù)VM引腳取樣到突然之間變大工作電流而產(chǎn)生的工作電壓這個(gè)時(shí)候IC取樣并傳出指令,讓MOS1結(jié)束,控制回路斷開(kāi),電池被保護(hù)了。


        5、過(guò)流保護(hù)電路:


        在P+與P-上接上空負(fù)載后,電池開(kāi)始放電其電流方向如I2,工作電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極,(這個(gè)時(shí)候MOS2被D2短路);IC根據(jù)VM引腳取樣到突然之間變大工作電流而產(chǎn)生的工作電壓這個(gè)時(shí)候IC取樣并傳出指令,讓MOS1結(jié)束,控制回路斷開(kāi),電池被保護(hù)了。


        鋰電池芯片工作原理


        1.鋰電保護(hù)芯片休眠模式


        CW1055步入過(guò)放保護(hù)狀況,并高于休眠模式延長(zhǎng)時(shí)間時(shí)間(Tslp),則CW1055會(huì)步入休眠模式。DO維持低電平,CO維持高阻態(tài),維護(hù)目前擁有充放電MOSFET的狀況。休眠模式解除條件:VM工作電壓正處于Vslp工作電壓以下。


        2.通常狀況的工作原理


        通常狀況下,即電池電壓在過(guò)放電產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓(VDL)上述且在過(guò)充電產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓(VCU)以下,VM接線端子的工作電壓在充電器產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓(VCHA)上述且在過(guò)工作電流1產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓以下的情況下,設(shè)計(jì)構(gòu)思振蕩器模塊不運(yùn)轉(zhuǎn),充電控制用MOSFET和放電控制用MOSFET的兩方均打開(kāi)。這個(gè)時(shí)候也可以開(kāi)展自由的充電和放電。


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